光氧化设备如何提高光催化反应效率

　　在处理废气方面，光氧化设备所带来的效果也确实是令人满意，并且处理效率很高，经过处理之后排放的气体能够达到相应的标准，那么它如何提高光催化反应效率？
　　1、减小颗粒大小
　　半导体颗粒的量子尺寸效应发生的粒径未1-10nm的量级范围内，半导体的禁带宽度随颗粒尺寸的减小而变宽，且催化性能明显提高，如Cds的粒径未26nm时，其禁带宽度从块体的26eV增加到36eV，TiO2尺寸小于10nm时，其光催化性能大幅提高。所以制备大比表面积的纳米级催化剂，是提高催化降解性能的有效途径。
　　2、在半导体表面负载贵金属
　　光氧化设备中，在TiO2表面沉积适量的贵金属，有利于光生电子和空穴的有效分离及降低还原反应的超电压，从而大大提高了催化剂活性。
　　3、半导体的金属离子掺杂
　　掺杂过渡金属或3价金属离子，可在半导体表面引入缺陷位置或改变结晶度。采用离子注入法对TiO2进行铬、钒等离子的掺杂，可将激发光的波长范围扩大到可见光区。采用3价离子能减少处于光子激发态的TiO2的电子密度，所以能增强量子效应，增加空穴密度。
　　4、半导体的表面光敏化
　　将光活件化合物通过化学或物理吸附吸附于光催化剂表面，可以扩大激发波长范围，增加光催化反应的效率。
　　5、复合半导体
　　光氧化设备复合半导体可分为半导体-绝缘体复合及半导体-半导体复合，绝缘体大都起载体的作用。二元复合半导体中，两个半导体之间的能级差别能使电倚有效分离。
　　6、半导体与黏土交联
　　在无机层状化合物的层间或沸石分子筛的微孔中，应用化学反应生成具有纳米级粒子特征的半导体簇合物，制得的以无机微孔晶体为主体，半导体纳米簇合物为客体的复合材料具有较高的光催化活性和选择性。
　　7、表面酸化
　　半导体表面酸性对其光催化性有很大影响，因为羟基化半导体表面与酸性有较大的关系。当TiO2与SiO2、Al2O3、ZrO2等绝缘体复合时，绝缘体大都起着载体的作用，不仅能提离TiO2的比表面积、孔隙率和热稳定性，而且能提高其表面酸性。
　　8、新型光催化剂
　　LaFeO3，FeO2等均为良好的光催化剂，BI2，TI2O2不仅在紫外光区具有明显的光催化性能，而且在可见光区也具有一定的光催化性能，使光催化氧化反应可以在太阳光下进行。
　　提高光催化反应效率，我们可以从以上这几个方面做好，另外就是需要大家熟悉一下光氧化设备的一些基本操作，经过这些，可以有效提高光催化反应效率。